在严酷条件下使用C8051F器件时，我们提供给您的一般性建议如下：

1) 在器件的每个电源引脚处放置0.1μF和1.0μF的去耦电容，而且要尽可能地靠近芯片。这一点适用于板上所有的IC（集成电路）。*

2) 尽可能将板上不使用的空间接地，即所谓的大面积覆铜。

3) 在靠近器件外部振荡器引脚处放置外部晶体和其他振荡器元件（如果可行的话）。

4) 使用最短的连线以避免产生“天线”，尤其在下列引脚处：/RST，MONEN，XTAL1，XTAL2，TMS，TCK，TDI和TDO。

5) 应使用一个1k - 4.7k 的电阻将/RST拉为高电平。且应该在/RST走线和地之间设一个0.1uF的去耦电容*

6) 应将MONEN直接接至片上的VDD (首选)或接地。*

7) 将TMS、TCK、TDI 和接固定电平。*

8) 连接至系统电缆或其他电路板上的信号应在PCB的连接点处适当地滤波。

* 避免使这些连接在板上形成大的回路。

三、对JTAG引脚的处理

在电路设计时，JTAG口的TCK要加3.3V上拉。上拉电阻值取4.7K。另外，要考虑到在成品阶段(此时已不需要通过JTAG编程)，将TCK.TMS.TDI引脚接地，这样更能提高系统的抗干扰能力，对于提高系统的稳定性是非常主要的。