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EM78P153芯片解密
M78P153是采用高速CMOS工艺制造的8位单片机。其内部有512*13位一次性ROM（OTPROM）。因此，用户可以方便地改进完善程序。程序代码可用EMC编程器写入芯片。有13位选项位可满足用户要求，其中的保护位可用来防止程序被读出。
EM78P153的功能特点：
工作电压范围：2.0V~6.0V
工作温度范围0C~70C
工作频率范围：DC~8MHz
低功耗
? 5V/4M工作条件下电流小于1.5MA
?3V/32K条件下电流典型值为15uA
? 休眠模式下电流典型值为1uA
512×13位片内ROM：32×8片内寄存器（SDRAM）
片内有4MHz 校准 RC 振荡器
振荡器起震时间预分频系数可编程
片内可按位编程
一个安全寄存器保护程序不被读出
一个结构寄存器满足用户要求
2 个双向I/O端口
5级堆栈
8位实时定时/计数器(TCC)，其信号源、触发沿可编程选择，溢出产生中断
掉电模式（SLEEP模式）
3个中断源
? TCC溢出中断
? 输入引脚状态变化中断（从休眠模式中唤醒）
? 外部中断
可编程自由运行看门狗定时器（WDT）
有7个 I/O引脚可编程设置为上拉；有6 个I/O引脚可编程设置为下拉；
有7个 I/O引脚可编程设置为漏极开路
每个指令周期为两个时钟周期；99.9%的指令为单周期指令
EM78P153 为14 脚；封装形式：SOP、SSOP 和DIP
具有电压检测器，检测范围2.0V￡0.15V
EM78P153的功能特点：
工作电压范围：2.0V~6.0V
工作温度范围0C~70C
工作频率范围：DC~8MHz
低功耗
? 5V/4M工作条件下电流小于1.5MA
?3V/32K条件下电流典型值为15uA
? 休眠模式下电流典型值为1uA
512×13位片内ROM：32×8片内寄存器（SDRAM）
片内有4MHz 校准 RC 振荡器
振荡器起震时间预分频系数可编程
片内可按位编程
一个安全寄存器保护程序不被读出
一个结构寄存器满足用户要求
2 个双向I/O端口
5级堆栈
8位实时定时/计数器(TCC)，其信号源、触发沿可编程选择，溢出产生中断
掉电模式（SLEEP模式）
3个中断源
? TCC溢出中断
? 输入引脚状态变化中断（从休眠模式中唤醒）
? 外部中断
可编程自由运行看门狗定时器（WDT）
有7个 I/O引脚可编程设置为上拉；有6 个I/O引脚可编程设置为下拉；
有7个 I/O引脚可编程设置为漏极开路
每个指令周期为两个时钟周期；99.9%的指令为单周期指令
EM78P153 为14 脚；封装形式：SOP、SSOP 和DIP
具有电压检测器，检测范围2.0V￡0.15V