电路板抄板之双极功率管的二次击穿

正偏二次击穿主要是热电 AP503TR-G1 反馈效应，局部电流集中，产生热斑；反偏二次击穿主要是电流模式或雪崩注入模式。 在具有感性负载开关电路中：“1”状态，即基区及集电区存储大量少子（饱和态）。“0”状态，基极反偏，抽取作用，发射极电流夹紧效应，电流高度集中会造成基区扩散效应（Kirk 效应），集电极势垒区电场峰值点会移至 nn+衬底处。 当 V DS 增大到漏结雪崩击穿电压时，漏极 pn+结发生一次雪崩击穿，其中倍增电子由漏极流出，pcb 抄板空穴注入衬底，产生压降达到源一衬底 PN 结正向电压时（>0.7V），源结导通，使 I 再一次猛增，即产生二次击穿特性。

沟道愈短，愈易产生二次击穿。 VDMOSFET 衬底串联电阻 R。s 比平面 MOSFET 更大，故更易发生二次击穿。此外，它具有很大的漏一衬底面积，其电容 Cd。大。在高压开关电路应用中，dV 璐较大，通过 Cdb 产生衬底交流电流一旦大于源一衬底 n+p 结正向压降时，就可引起二次击穿，为克服此类二次击穿，应尽量减小。 在截止状态开始瞬间，L 上的自感电动势将叠加在 VCE 上，很易使器件进入雪崩二次击穿状态，其临界电压为 VSB， V SB = Ecr Wc 式中，ECR 为雪崩临界击穿电场（硅：1×los V／crIi），自感电压为 L（dIL/dt），当 VCC+L（d,ILldt）大于 BVCEO 时，就发生反偏二次击穿；Wc 为沟道宽度。

提高器件抗反偏二次击穿的办法： ①采用二层外延结构，第一层掺杂浓度应高于第二层，第二层的 W。及 Nd 应由器件高频参数要求进行优化。 ②在器件芯片中设计钳位二极管，以保护反偏尖峰不致损伤器件。