瓷介电容器

瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为 I 型（CC 型）和 II 型（CT 型）。I 型（CC 型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。II 型（CT 型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。CC1 型圆片高频瓷介电容适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025 绝缘电阻：10000mohm 试验电压：200v 允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p 以上（J,K,M）温度系数：-150--- -1000PPM/C 环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C 时达 96%CT1 型圆形瓷片低频电容： 环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C 时达 96%工作电压 50V 电容范围和允差：101—472 （+-10%） 472-403（+80-- -20%）CC01 圆形瓷片电容： 环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C 时达 96% 大气压力 750+-30mmhg 允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p 以上（J,K,M） 温度系数：1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM 56—180P –750(+-250)PPM 180—390P –1300(+-250)PPM 430—820P –3300(+-500)PPM CT01 圆形瓷片电容： 环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C 时达 96% 大气压力 750+-30mmhg 损耗《0.05 绝缘电阻：1000mohm 允差：+80 -20%容量：1000-47000p 工作电压：63v 试验电压：200v 独石瓷介电容器：CC4D 独石瓷介电容器环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C 时达 98% 大气压力 666.6PA 损耗《15*10(-4)容量：100-100000p 工作电压：40v 试验电压：120v CT4D 独石瓷介电容器环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C 时达 98% 大气压力 1000PA 损耗《0.035 容量：

0.033-2.2uf 工作电压：40v-100v 试验电压：3UW 允差：+80-20% CC2,CT2 管形瓷介电容器与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电极屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有谐振频率低，制造工艺复杂，产量低。 CT2 损耗《0.04 绝缘电阻<1000mohm 试验电压：480v 使用条件：-55—85c 相对湿度：40C 时达 98%CC10 超高频瓷介电容可用于《500MHZ 下，环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C 时达 98% 压力 33mmhg 震动强度：加速度 10g 冲击：加速度 25g 离心：加速度 15g 允差：k 容量：1-47p 工作电压：500v CC11,CT11 园片无引线瓷片电容该电容特为高频头设计，频率特性好。

CC11 直流电压：250V 标称容量：3—39P 损耗：《0.0015 绝缘》10000mohmCT11 直流电压：160V 标称容量：240—1500 绝缘》2500mohmCT82,CC82 高压高功率瓷片电容：环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C 时达 98%大气压力 40000PA 震动：加速度 15g 冲击：加速度 15g 额定电压：1—4kv 试验电压：

2.5—8kv 允差：K,MCC3,CCTD 型叠片瓷介电容器 CCTF 型方形叠片瓷片电容器 CC3 损耗《0.0015 容量：33-1000P 允差：K,M 工作电压：100VCCTD 损耗《0.035 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作电压：250V CCTF 损耗《0.04 容量：10000-47000P 允差：+80-20% 工作电压：160VCC53,CC52,CT53,CT52 穿心式瓷介电容该类电容使用于 VHF,UHF 调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。

CC52E-1C 容量：2-33P 工作电压：63V 绝缘电阻：10000mohm 损耗：《0.0015 CC53-2C 容量：1000-1500P 工作电压：160V 绝缘电阻：1000mohm 损耗《0.035CT87 鼓形高压低频瓷介电容器，该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量：470P 工作电压：10KV 绝缘电阻：10000mohmCCG81 型板形高功率瓷介电容：使用于大功率高频电子设备中。

容量：1000P 工作电压 20KV(高频 15KV) 额定无功功率：100KVA 最大电流：25A 最大重量：1.3KG