PIC单片机16F84的内部硬件资源(3)

10 复位
  复位是单片机的初始化操作。其主要功能是把程序计数器PCL初始化为000H,可使16F84单片机从000H单元开始执行程序。
  PIC16F84芯片有下列几种不同的复位方式。
  (1)芯片上电复位POR。
  (2)正常工作状态下通过外部MCLR引脚加低电平复位。
  (3)在省电休眠状态下通过外部MCLR引脚加低电平复位。
  (4)监视定时器WDT超时溢出复位。
  PIC16F84片内集成有“上电复位”POR电路,对于一般应用,只要把MCLR引脚接高电位即可。
  在正常工作或休眠状态下用MCLR复位,只需在MCLR引脚上加一按键瞬间接地即可。
  单片机16F84复位操作,对其它一些寄存器会有影响,如表1所示。

  11监视定时器WDT
  单片机系统常用于工业控制,在操作现场通常会有各种干扰,可能会使执行程序弹飞到一种死循环,从而导致整个单片机控制系统瘫痪。如果操作者在场,就可进行人工复位,摆脱死循环。但操作者不能一直监视着系统,即使监视着系统,也往往是引起不良后果之后才进行人工复位。由于PIC16F84中具有程序运行自动监视系统,即监视定时器WDT(Watch Dog Time),直译为“看门狗”定时器。这好比是主人养了一条狗,主人在正常干活时总不忘每隔一段时间就给狗喂食,狗就保持安静,不影响主人干活。如果主人打嗑睡,不干活了,到一定时间,狗饿了,发现主人还没有给它吃东西,就会大叫起来,把主人唤醒。由此可见,WDT有如下特性:
  (1)本身能独立工作,基本上不依赖CPU。
  (2)CPU在一个固定的时间间隔中和WDT打一次交通(如使其清零,即喂一次狗),以表明系统目前工作正常。
  (3)当CPU落入死循环后,能被WDT及时发觉(如WDT计数溢出),并使系统复位。
  PIC16F84内的WDT,其定时计数的脉冲序列由片内独立的RC振荡器产生,所以它不需要外接任何器件就可以工作。而且这个片内RC振荡器与OSC1/CLKIN(引脚{16})上的振荡电路无关,即使OSC1和OSC2上的时钟不工作,WDT照样可以监视定时。例如:当PIC16F84在执行SLEEP指令后,芯片进入休眠状态,CPU不工作,主振荡器也停止工作,但是,WDT照样可监视定时。当WDT超时溢出后,可激活(唤醒)芯片继续正常的操作。而在正常操作期间,WDT超时溢出将产生一个复位信号。如果不需要这种监视定时功能,在固化编程时,可关闭这个功能。附图是监视定时器的结构框图。表2是与WDT有关的寄存器。
  WDT的定时周期在不加分频器的情况下,其基本定时时间是18ms,这个定时时间还受温度、VDD和不同元器件的工艺参数等的影响。如果需要更长的定时周期,还可以通过软件控制OPT/ON寄存器把预分频器配置给WDT,这个预分频器的最大分频比可达到1∶128。这样就可把定时周期扩大128倍,即达到23秒。
  如果把预分频器配置给WDT,用CLRWDT和SLEEP指令可以同时对WDT和预分频器清零,从而防止计时溢出引起芯片复位。所以在正常情况下,必须在每次计时溢出之前执行一条CLRWDT指令(即喂一次“狗”),以避免引起芯片复位。当系统受到严重干扰处于失控状态时,就不可能在每次计时溢出之前执行一条CLR WDT指令,WDT就产生计时溢出,从而引起芯片复位,从失控状态又重新进入正常运行状态。
  当WDT计时溢出时,还会同时清除状态寄存器中的D4位T0,检测T0位即可知道复位是否由于WDT计时溢出引起的。  


12 E2PROM的使用方法
  在PIC16F84单片机中,除了可直接寻址的由SRAM构成的数据存储器外,还另有可电擦、电写的E2PROM数据存储器。该E2PROM共有64字节,其地址为00~3FH单元。由于E2PROM具有在线改写,并在掉电后仍能保持数据的特点,可为用户的特殊应用提供方便。16F84的E2PROM在正常操作时的整个VDD工作电压范围内是可读写的,典型情况下可重写100万次,数据保存期大于40年。
  PIC16F84的E2PROM并未映象在寄存器组空间中,所以它们不能像SRAM通用寄存器那样用指令直接寻址访问,而需要通过专用寄存器进行间接寻址操作。因此,在16F84中增加了以下四个专用寄存器,即EECON1、EECON2、EEDATA、EEADR,专门用于片内对E2PROM的操作。该专用寄存器中,EEDATA存放8位读/写数据,EEADR存放正在被访问的E2PROM存储单元的地址。
  EECON1是只有低五位的控制寄存器,其高三位不存在,读作“0”。具体见下表。
  D7 D6 D5 D4  D3  D2 D1 D0
   -   -  - EEIF WRERR WREN WR RD
  控制位RD和WR分别用于读写操作的启动,这两位可以由软件置1,以启动读、写操作,但不能用软件清零,原因是防止不恰当的软件操作会使写入失败。当读写操作完成后由硬件自动清零,表示此刻未对E2PROM进行读写操作。当WREN位被置1时,允许进行写操作,而在上电时该位被清零。在正常操作时,一旦有MCLR或WDT复位,WRERR位就置1,表示写操作被中止。当写操作完成时,EEIF被置1(需由软件清零);当写操作未完成或尚未启动时,EEIF为“0”。
  EECON2仅是一个逻辑上的寄存器,而不是一个物理上存在的寄存器,读出时将总是为零。它只在写操作时起作用。
  (1)E2PROM的读操作
  为进行一次E2PROM读操作,需执行如下步骤:
  1)将E2PROM的单元地址放入EEADR。2)置RD(EECON的D0位)=1。3)读取EEDATA寄存器。
  程序段举例,读取25H处的E2PROM存储器数据:
  …
  BCF   STATUS,RP0 ;选Bank0
  MOVLW 25H
  MOVWF EEADR   ;地址25H→EEADR
  BSF   STATUS,RP0 ;选Bank1
  BSF EECON1,RD ;启动读操作
  BCF STATUS,RP0 ;选Bank0
  MOVF EEDATA,W ;将E2PROM数据
        …   ;读入W寄存器
  (2)E2PROM的写操作
  要进行一次E2PROM写操作,需执行如下步骤:
  1)将E2PROM单元地址放入EEADR;2)将写入数据放入EEDATA;3)执行一段控制程序段。
  例如:将数据99H写入E2PROM的25H单元,需执行下列程序:
       …
  BCF   STATUS,RP0 ;送Bank0
  MOVLW 25H
  MOVWF EEADR    ;地址→EEADR
  MOVLW 99H
  MOVWF EEDATA   ;写入数据→EEDATA
  BSF   STATUS,RP0 ;选Bank1
  BSF   EECON1,WREN;写操作功能允许
  1 BCF   INTCON,GIE ;关闭总中断
  2 MOVLW 0x55
  3 MOVWF EECON2
  4 MOVLW 0xAA
  5 MOVWF EECON2 ;操作EECON2
  6 BSF  EECON1,WR;启动写操作
  7 BSF   INTCON,GIE ;开放总中断
    …
  注意:上列程序中的2~6条各语句必须严格执行,否则不能启动E2PROM的写操作。而1~7条则是我们建议用户执行的操作,即在E2PROM写操作序列步骤中要关闭所有中断,以免这个序列被中断打断。
  另外,WREN(EECON1的D2位)是用来保证E2PROM不会被意外写入而设置的,所以,在平时,用户程序应保持WREN=0以禁止写操作。只有当需对E2PROM写入时才置WREN=1,并在写入完成后将其恢复为0。用户只有置WREN=1后才能置WREN=1启动写操作。上电复位后WREN位自动清零。
  E2PROM写操作约需10ms的时间才能完成。用户程序可通过查询WR位的状态(当WR=0时表示操作已完成),或者用E2PROM写入完成中断来判断E2PROM写操作是否完成。如要使用中断,应先置EEIF(INTCON的D6)为1,以开中断。E2PROM写完成要中断标志位EEIF,只能用软件清零。

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