ATtiny2313V主要特性如下: - 使用 AVR RISC 结构
- AVR – 高性能、低功耗的RISC 结构
- 120 条指令 – 大多数指令执行时间为单个时钟周期
- 32 个8 位通用工作寄存器
- 全静态工作
- 工作于20 MHz 时性能高达20 MIPS
- 非易失性程序和数据存储器
- 2K字节的系统内可编程Flash
- 128字节的系统内可编程EEPROM
- 128字节的片内SRAM
- 可以对锁定位进行编程以及实现EEPROM 数据的加密
- 外设特点
- 具有独立预分频器及比较模式的8位定时器/计数器
- 具有独立预分频器及比较、捕获模式的16位定时器/计数器
- 四路 PWM 通道
- 片内模拟比较器
- 具有片内振荡器的可编程看门狗定时器
- USI
- 全局串行接口
- 全双工 USART
- 特殊的处理器特点
- debugWIRE 片上调试
- 通过SPI 端口在系统内可编程
- 片内/ 片外中断源
- 低功耗空闲模式、噪声抑制模式、待机模式
- 增强型上电复位
- 可编程的掉电检测
- 片内标定振荡器
- I/O 和封装
- 18可编程I/O 线
- 20引脚PDIP, 20 引脚 SOIC 与20 引脚MLF
- 工作电压:
- 1.8 - 5.5V (ATtiny2313V)
- 2.7 - 5.5V (ATtiny2313)
- 速度等级
- ATtiny2313V:0-4 MHz @1.8-5.5V, 0-10 MHz @2.7-5.5V
- ATtiny2313:0-10 MHz @2.7-5.5V, 0-20 MHz @4.5-5.5V
- 功耗估计
- 正常模式:
- 1 MHz, 1.8V: 300 μA
- 32 kHz, 1.8V: 20 μA ( 包括振荡器)
- 掉电模式:
- < 0.2 μA at 1.8V
| ATtiny2313V 参数 | ATtiny2313V存储器 | Flash ROM |
| 2KB | SRAM |
| 128B | EEPROM |
| 128B | ATtiny2313V性能参数特性 | 工作频率 |
| 0-10MHz (ATtiny2313V) |
| 0-20MHz (ATtiny2313) | 工作电压 |
| 1.8-5.5V (ATtiny2313V) |
| 2.7-5.5V (ATtiny2313) | I/O口 |
| 18个 | 16位定时器 / 计数器 |
| 1 | 8位定时器 / 计数器 |
| 1 | PWM |
| 4 | RTC |
| NO | SPI |
| USI | UART |
| 1 | TWI |
| USI | 10位ADC |
| NO | 模拟比较器 |
| 1 | WDT |
| 1(带独立片内振荡器) | 外部中断 |
| 18 | 睡眠模式 |
| 3种 | 硬件乘法器 |
| NO | 片内振荡器 |
| YES | 引脚电平中断/唤醒功能 |
| YES | 掉电检测 |
| YES | 上电复位 |
| YES | ATtiny2313V封装与引脚数 | PDIP |
| 20PIN | SOP |
| 20PIN | QFN / MLF |
| 20PIN | ATtiny2313V编程与调试方式 | 编程方式 |
| ISP IAP H/PV | 仿真方式 |
| debugWIRE |
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